Производитель Номер продукта:
R6022YNX3C16
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6022YNX3C16-DG
Описание:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Подробное описание:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
998 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002811
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6022YNX3C16 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 1.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
205W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-R6022YNX3C16
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK4D72-30X
BUK4D72-30X
NVMJST2D6N08HTXG
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-