Производитель Номер продукта:
DMN2991UFB4Q-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2991UFB4Q-7B-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Подробное описание:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Инвентаризация:
13002829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2991UFB4Q-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14.6 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2991
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN2991UFB4Q-7B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVLJWS013N03CLTAG
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
DMN31D4UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
DMTH47M2LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
