Производитель Номер продукта:
DMN31D4UFZ-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN31D4UFZ-7B-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Подробное описание:
N-Channel 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Инвентаризация:
9895 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN31D4UFZ-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15.4 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN0606-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN31
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN31D4UFZ-7BCT
31-DMN31D4UFZ-7BDKR
31-DMN31D4UFZ-7BTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH47M2LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
ISC073N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
MCQ20N03HE3-TP
Interface
