R6077VNZC17
Производитель Номер продукта:

R6077VNZC17

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6077VNZC17-DG

Описание:

600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Инвентаризация:

420 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991434
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6077VNZC17 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
51mOhm @ 23A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
113W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PF
Упаковка / Чехол
TO-3P-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6077

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6077VNZC17

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
utd-semiconductor

1N60G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2304A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

1N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

utd-semiconductor

1N65L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET