Производитель Номер продукта:
R6086YNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6086YNZ4C13-DG
Описание:
NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G
Инвентаризация:
568 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001156
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ZY3F
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6086YNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 4.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
781W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6086
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6086YNZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TP65H070LDG-TR
650 V 25 A GAN FET
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
