R6086YNZ4C13
Производитель Номер продукта:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6086YNZ4C13-DG

Описание:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Инвентаризация:

568 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001156
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
ZY3F
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6086YNZ4C13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 4.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
781W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6086

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6086YNZ4C13

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P