Производитель Номер продукта:
TP65H070LDG-TR
Product Overview
Производитель:
Transphorm
Номер детали:
TP65H070LDG-TR-DG
Описание:
650 V 25 A GAN FET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Инвентаризация:
1651 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001158
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TP65H070LDG-TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TP65H070L
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
3-PQFN (8x8)
Упаковка / Чехол
3-PowerDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
SUM70042M-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
