R8002CND3FRATL
Производитель Номер продукта:

R8002CND3FRATL

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R8002CND3FRATL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

7551 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945911
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R8002CND3FRATL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R8002

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R8002CND3FRATLCT
846-R8002CND3FRATLDKR
846-R8002CND3FRATLTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

RRR030P03HZGTL

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

infineon-technologies

IMBG120R060M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

infineon-technologies

IAUC120N06S5L032ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34

infineon-technologies

IMBG120R030M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263