Производитель Номер продукта:
RCD100N19TL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RCD100N19TL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Подробное описание:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Инвентаризация:
1108 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526992
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RCD100N19TL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
190 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
CPT3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
RCD100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RCD100N19TLTR
RCD100N19TLDKR
RCD100N19TLCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RD3S100CNTL1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2256
Номер части
RD3S100CNTL1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.88
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ1E075XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
