Производитель Номер продукта:
RGTV60TS65GC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RGTV60TS65GC11-DG
Описание:
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Подробное описание:
IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 194 W Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
162 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525723
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RGTV60TS65GC11 Технические характеристики
Категория
IGBTs, Однокристальные IGBT
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип IGBT
Trench Field Stop
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
650 V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
60 A
Ток - коллекторный импульсный (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Мощность - Макс
194 W
Коммутационная энергия
570µJ (on), 500µJ (off)
Тип входных данных
Standard
Плата за выход на посадку
64 nC
Td (вкл/выкл) @ 25°C
33ns/105ns
Условия испытания
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Базовый номер продукта
RGTV60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RGT50NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS
RGW80TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
RGW80TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N