Производитель Номер продукта:
RS1P600BHTB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS1P600BHTB1-DG
Описание:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
2440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS1P600BHTB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4080 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-RS1P600BHTB1TR
846-RS1P600BHTB1CT
846-RS1P600BHTB1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS1P600BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2440
Номер части
RS1P600BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SCT4062KRC15
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE