Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RW1A025APT2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RW1A025APT2CR-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Инвентаризация:
2465 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13080606
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RW1A025APT2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
-8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-WEMT
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
RW1A025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RW1A025APT2CR
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RW1A025APT2CRDKR
846-RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RV5A040APTCR1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
RV5A040APTCR1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
Similar
Номер детали
SSM6J216FE,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
800
Номер части
SSM6J216FE,LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RS1E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
RW1E015RPT2R
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
RW1E014SNT2R
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
RCJ100N25TL
MOSFET N-CH 250V 10A LPT