Производитель Номер продукта:
RXH100N03TB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RXH100N03TB1-DG
Описание:
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Подробное описание:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
2452 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997737
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RXH100N03TB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
RXH100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-RXH100N03TB1DKR
846-RXH100N03TB1TR
846-RXH100N03TB1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PJL9410_R2_00001
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Panjit International Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2426
Номер части
PJL9410_R2_00001-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
Similar
Номер детали
RXH100N03TB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2452
Номер части
RXH100N03TB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN1R2-55SLHX
N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
BSS138-7-F-79
DIODE
IPT65R080CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
