Производитель Номер продукта:
SCT2160KEHRC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT2160KEHRC11-DG
Описание:
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
424 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967378
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT2160KEHRC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
165W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT2160
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-SCT2160KEHRC11
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R8003KNXC7G
800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
RX3G18BGNC16
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
R6524KNX3C16
650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
