UMF7NTR
Производитель Номер продукта:

UMF7NTR

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

UMF7NTR-DG

Описание:

TRANS DIGITAL BJT NPN 12V/50V 50
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount UMT6

Инвентаризация:

12995492
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

UMF7NTR Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA, 500mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V, 12V
Резистор - база (R1)
2.2kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
2.2kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA, 100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz, 320MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
UMT6
Базовый номер продукта
UMF7

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-UMF7NTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

EMF20T2R

TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 150MA/

rohm-semi

EMF23T2R

TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10

rohm-semi

EMF7T2R

TRANS DIGITAL BJT NPN 12V 500MA/

rohm-semi

EMB18T2R

TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA