Производитель Номер продукта:
2SC2271E-AE
Product Overview
Производитель:
Sanyo
Номер детали:
2SC2271E-AE-DG
Описание:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Инвентаризация:
6824 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941616
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC2271E-AE Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
300 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
600mV @ 2mA, 20mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Мощность - Макс
900 mW
Частота - переход
50MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Комплект устройства поставщика
3-MP
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,323
Другие названия
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CA3127ER4102
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR
2SC3708T-AA
0.5A, 80V, NPN
2SC3599E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
