Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SCTWA35N65G2V
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCTWA35N65G2V-DG
Описание:
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12939172
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCTWA35N65G2V Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V, 20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
73000 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 Long Leads
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCTWA35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SCTWA35N65G2V
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-SCTWA35N65G2V
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MSC060SMA070B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
26
Номер части
MSC060SMA070B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.90
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFS5C442NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
NVD5C684NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
PSMN5R0-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
NP83P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 83A TO263