STB57N65M5
Производитель Номер продукта:

STB57N65M5

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STB57N65M5-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

410 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12877376
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STB57N65M5 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ V
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB57

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-13087-6
497-13087-1
497-13087-2
5060-STB57N65M5TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STB6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK

stmicroelectronics

STW12N170K5

MOSFET N-CH 1700V 5A TO247

stmicroelectronics

STP8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB

stmicroelectronics

STL23NM50N

MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8