Производитель Номер продукта:
STD11N60M2-EP
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STD11N60M2-EP-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12877097
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STD11N60M2-EP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ M2-EP
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
390 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
STD11
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
497-16936-2
-1138-STD11N60M2-EPTR
497-16936-1
-1138-STD11N60M2-EPDKR
497-16936-6
-1138-STD11N60M2-EPCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTY8N70X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
49
Номер части
IXTY8N70X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTY8N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20
Номер части
IXTY8N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
