Производитель Номер продукта:
STD3NM60-1
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STD3NM60-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
12873754
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STD3NM60-1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
324 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
STD3N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STW26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247