STFI24NM60N
Производитель Номер продукта:

STFI24NM60N

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STFI24NM60N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP
Подробное описание:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)

Инвентаризация:

1331 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946283
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STFI24NM60N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-281 (I2PAKFP)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Базовый номер продукта
STFI24N

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-12859-5
-497-12859-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IPI60R190C6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
495
Номер части
IPI60R190C6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.43
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF24NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STF24NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.42
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

AUIRL3705Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

fairchild-semiconductor

FCH110N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

fairchild-semiconductor

FCH041N65EFL4

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

onsemi

2SJ616-TD-E

2SJ616 - P CHANNEL MOSFET