Производитель Номер продукта:
STH180N4F6-2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STH180N4F6-2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Инвентаризация:
12873268
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STH180N4F6-2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
STripFET™ F6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7735 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
H2PAK-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STH180
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PSMN1R1-40BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3918
Номер части
PSMN1R1-40BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N6661JTX02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
STP36N55M5
MOSFET N-CH 550V 33A TO220
STP26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
