Производитель Номер продукта:
STL180N6F7
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STL180N6F7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Подробное описание:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Инвентаризация:
12872416
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STL180N6F7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
STripFET™ F7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4825 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPH2R306NH,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2815
Номер части
TPH2R306NH,L1Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
