Производитель Номер продукта:
STP19NB20
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP19NB20-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12880491
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP19NB20 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP19N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-2650-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF640PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1594
Номер части
IRF640PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.73
Тип замещения
Similar
Номер детали
IRF200B211
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4746
Номер части
IRF200B211-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB55NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
2N7002-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
