STP20NM60FD
Производитель Номер продукта:

STP20NM60FD

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STP20NM60FD-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

773 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12880484
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STP20NM60FD Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
FDmesh™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
192W (Tc)
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-5395-5
STP20NM60FD-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STP180NS04ZC

MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB

stmicroelectronics

STP19NB20

MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB

stmicroelectronics

STB55NF06LT4

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

vishay-siliconix

2N7002-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236