Производитель Номер продукта:
STP60N043DM9
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP60N043DM9-DG
Описание:
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Подробное описание:
N-Channel 600 V 56A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12978669
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP60N043DM9 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4675 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
245W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP60N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-STP60N043DM9
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP2070UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMP1011LFVQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMP2110UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
