Производитель Номер продукта:
STW25N60M2-EP
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STW25N60M2-EP-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876069
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STW25N60M2-EP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ M2-EP
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1090 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW25
Дополнительная информация
Стандартный пакет
600
Другие названия
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
