Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STW28N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STW28N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12873252
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STW28N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW28
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-16350-5
-497-16350-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTH24N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
268
Номер части
IXTH24N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.98
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFH50N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
386
Номер части
IXFH50N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.53
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFH30N60X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
107
Номер части
IXFH30N60X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.12
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R190E6FKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
190
Номер части
IPW60R190E6FKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
STD2NK70Z-1
MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
STO33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
STH180N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2