STWA30N65DM6AG
Производитель Номер продукта:

STWA30N65DM6AG

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STWA30N65DM6AG-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 284W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Инвентаризация:

690 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966823
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STWA30N65DM6AG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
284W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 Long Leads
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STWA30

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
497-STWA30N65DM6AG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R306P1,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

vishay-siliconix

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

microsemi

JANTXV2N6768

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE

infineon-technologies

IPD088N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3