Производитель Номер продукта:
TSM1NB60CW
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM1NB60CW-DG
Описание:
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Инвентаризация:
13375216
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM1NB60CW Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
TSM1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
1801-TSM1NB60CWTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTHL022N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333