Производитель Номер продукта:
TSM60NB1R4CP
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM60NB1R4CP-DG
Описание:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
13000963
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM60NB1R4CP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TSM60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
1801-TSM60NB1R4CPTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
