TSM650N15CR
Производитель Номер продукта:

TSM650N15CR

Product Overview

Производитель:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер детали:

TSM650N15CR-DG

Описание:

150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Подробное описание:
N-Channel 150 V 4A (Ta), 24A (Tc) 2.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Инвентаризация:

12998790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TSM650N15CR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta), 24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1829 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.6W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
TSM650

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
1801-TSM650N15CRTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIRS4401DP-T1-GE3

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM180N03CS

30V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4436CS

60V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SISS5112DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW