Производитель Номер продукта:

CSD16323Q3T

Product Overview

Производитель:

Texas Instruments

Номер детали:

CSD16323Q3T-DG

Описание:

PROTOTYPE

Подробное описание:

N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12996156

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

CSD16323Q3T Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Texas Instruments

Упаковка

-

Серия

NexFET™

Статус продукта

Active

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

25 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

20A (Ta), 105A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

3V, 8V

Rds On (макс.) @ id, vgs

4.5mOhm @ 24A, 8V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Vgs (макс.)

+10V, -8V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1300 pF @ 12.5 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.8W (Ta), 74W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Упаковка / Чехол

8-PowerTDFN

Базовый номер продукта

CSD16323

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

1

Другие названия

296-CSD16323Q3T

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

AOK065V65X2

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

nexperia

PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS

rohm-semi

R6520ENZ4C13

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

rohm-semi

R6535ENZ4C13

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER