Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
2SD1221-Y(Q)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SD1221-Y(Q)-DG
Описание:
TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12949766
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD1221-Y(Q) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 300mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
3MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
PW-MOLD
Базовый номер продукта
2SD1221
Дополнительная информация
Стандартный пакет
200
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
2SD1802T-TL-E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1187
Номер части
2SD1802T-TL-E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.38
Тип замещения
Similar
Номер детали
2SC6097-TL-E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5749
Номер части
2SC6097-TL-E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
2SC6076(TE16L1,NV)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TMBT3906,LM
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
2SD2695(T6CNO,A,F)
TRANS NPN 60V 2A TO92MOD
BC846B-7-F
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
FMMT6517TC
TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3