Производитель Номер продукта:
2SD2206A(T6SEP,F,M
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SD2206A(T6SEP,F,M-DG
Описание:
TRANS NPN 120V 2A TO92MOD
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 2 A 900 mW Through Hole TO-92MOD
Инвентаризация:
12891825
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD2206A(T6SEP,F,M Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 1mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
900 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Комплект устройства поставщика
TO-92MOD
Базовый номер продукта
2SD2206
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2SD2206A(T6SEPFM
2SD2206AT6SEPFM
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC1627A-Y,PASF(M
TRANS NPN 80V 0.4A TO92MOD
2SC4116-BL,LF
TRANS NPN 50V 0.15A SC70
2SC6042,T2HOSH1Q(J
TRANS NPN 375V 1A MSTM
