Производитель Номер продукта:
2SJ668(TE16L1,NQ)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SJ668(TE16L1,NQ)-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Подробное описание:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Инвентаризация:
12889158
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SJ668(TE16L1,NQ) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
U-MOSIII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
20W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PW-MOLD
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
2SJ668
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
2SJ668(TE16L1NQ)
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TJ8S06M3L,LXHQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3443
Номер части
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
TK8A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
