Производитель Номер продукта:
2SK2963(TE12L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SK2963(TE12L,F)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Инвентаризация:
12889528
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK2963(TE12L,F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PW-MINI
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Базовый номер продукта
2SK2963
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2SK2963DKR
2SK2963 (TE12L,F)
2SK2963FCT
2SK2963DKR-DG
2SK2963TE12LF
2SK2963(TE12L)-NDR
2SK2963FDKR
2SK2963FTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
SSM3K116TU,LF
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
SSM3K7002BS,LF
MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
