Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK20E60W,S1VX
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK20E60W,S1VX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
35 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889534
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK20E60W,S1VX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
165W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK20E60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
TK20E60W
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX-DG
264-TK20E60W,S1VX
TK20E60WS1VX
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPP20N60C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6171
Номер части
SPP20N60C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.45
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCP16N60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2766
Номер части
FCP16N60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.03
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPP60R165CPXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
490
Номер части
IPP60R165CPXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.28
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFP18N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
300
Номер части
IXFP18N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.30
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK20N60W,S1VF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15
Номер части
TK20N60W,S1VF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.83
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3K116TU,LF
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
SSM3K7002BS,LF
MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
TK13A65U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
SSM3J46CTB(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B