Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN1107,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1107,LF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
20341 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889171
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1107,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1107
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RN1107-09
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1107T5LFT
RN1107LF(CTCTINACTIVE
RN1107LF(CBTR
RN1107LF(CBDKR-DG
RN1107LF(CTDKRINACTIVE
RN1107LF(CTCT
RN1107(T5LFT)DKR
RN1107(T5LFT)CT
RN1107LF(CBCT-DG
RN1107LF(CTTRINACTIVE
RN1107LF(CTDKR
RN1107LF(CBDKR
RN1107(T5L,F,T)
RN1107,LF(CB
RN1107LF(CTTR
RN1107LF(CBCT
RN1107(T5LFT)TR
RN1107LF(CBTR-DG
RN1107(T5LFT)CT-DG
RN1107(T5LFT)TR-DG
RN1107(T5LFT)DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1104MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1114(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1416,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1102MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM