Производитель Номер продукта:
RN1301,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1301,LF-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Инвентаризация:
4217 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889488
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1301,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SC-70
Базовый номер продукта
RN1301
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1301LFTR
RN1301(TE85LF)DKR-DG
RN1301(TE85LF)TR
RN1301(TE85LF)-DG
RN1301TE85LF
RN1301,LF(B
RN1301(TE85LF)TR-DG
RN1301(TE85LF)
RN1301(TE85LF)CT-DG
RN1301(TE85L,F)
RN1301(TE85LF)CT
RN1301 (TE85L,F)
RN1301,LF(T
RN1301LFCT
RN1301LFDKR
RN1301(TE85LF)DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDTA123JUA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
RN2413TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2427TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI