Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN1971FE(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1971FE(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12889362
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1971FE(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN1971
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
RN1971FE(TE85LF)TR
RN1971FE(TE85LF)CT
RN1971FE(TE85LF)DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RN1111MFV,L3F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7278
Номер части
RN1111MFV,L3F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
EMH4T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22408
Номер части
EMH4T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Номер детали
NSBC114TDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6880
Номер части
NSBC114TDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1909,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363