Производитель Номер продукта:
RN2312(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2312(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890650
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2312(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SC-70
Базовый номер продукта
RN2312
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN2312(TE85LF)-DG
RN2312(TE85LF)TR
RN2312TE85LF
RN2312(TE85LF)DKR
RN2312(TE85LF)
RN2312(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1413(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN2409,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI