Производитель Номер продукта:
RN4989(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN4989(TE85L,F)-DG
Описание:
NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
2998 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13275884
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN4989(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz, 200MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
RN4989
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN4989(TE85LF)CT
264-RN4989(TE85LF)DKR
264-RN4989(TE85LF)TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN46A1(TE85L,F)
PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER