Производитель Номер продукта:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J35MFV,L3F-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Подробное описание:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Инвентаризация:
35555 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889711
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J35MFV,L3F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
VESM
Упаковка / Чехол
SOT-723
Базовый номер продукта
SSM3J35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
