Производитель Номер продукта:
SSM6G18NU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6G18NU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-µDFN (2x2)
Инвентаризация:
3925 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890697
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6G18NU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
112mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-µDFN (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
SSM6G18
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6G18NULFTR
SSM6G18NU,LF(B
SSM6G18NULFDKR
SSM6G18NULFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK4A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
TPCA8055-H,LQ(M
MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP
TPH4R10ANL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP