Производитель Номер продукта:
SSM6J512NU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J512NU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Подробное описание:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Инвентаризация:
30341 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891255
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J512NU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 8V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-UDFNB (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
SSM6J512
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6J512NU,LF(T
SSM6J512NULFCT
SSM6J512NULFTR
SSM6J512NULFDKR
SSM6J512NU,LF(B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
TPC8133,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
TPCC8006-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
