Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SSM6N357R,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6N357R,LF-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Инвентаризация:
4400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889388
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6N357R,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
650mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.5nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60pF @ 12V
Мощность - Макс
1.5W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Комплект устройства поставщика
6-TSOP-F
Базовый номер продукта
SSM6N357
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SSM6N357R
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6N357RLFCT
SSM6N357RLFTR
SSM6N357R,LF(B
SSM6N357RLFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6