Производитель Номер продукта:
TK10P50W,RQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK10P50W,RQ-DG
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Подробное описание:
N-Channel 500 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
1635 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK10P50W,RQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
264-TK10P50W,RQTR-DG
264-TK10P50W,RQTR
264-TK10P50W,RQCT
264-TK10P50WRQTR-DG
264-TK10P50WRQTR
264-TK10P50W,RQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
