Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK12A60U(Q,M)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12A60U(Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12889733
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12A60U(Q,M) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
DTMOSII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK12A60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK12A60U(Q)
TK12A60U(QM)
TK12A60U(Q)-DG
TK12A60UQ-DG
TK12A60UQM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP14NK60ZFP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP14NK60ZFP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPA65R400CEXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
235
Номер части
IPA65R400CEXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.55
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCPF11N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
461
Номер части
FCPF11N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.58
Тип замещения
Similar
Номер детали
SIHA12N60E-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
923
Номер части
SIHA12N60E-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.99
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF13NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
672
Номер части
STF13NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.78
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
2SK2962,T6F(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK12A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS