Производитель Номер продукта:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12E80W,S1X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12949829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
98n8
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12E80W,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 570µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
165W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK12E80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP13N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
312
Номер части
STP13N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.60
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
