Производитель Номер продукта:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK14A65W,S5X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
19 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890663
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK14A65W,S5X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 690µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK14A65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCPF260N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
190
Номер части
FCPF260N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.76
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
